ztjy2008 发表于 2011-6-24 09:18:55

多晶电池片在刻蚀去PSG后,背面边缘部分发黄是什么原因?

多晶电池片在刻蚀去PSG后,背面边缘部分发黄是什么原因?

118003016 发表于 2011-6-29 02:01:37

可能有药液残留

chengxinshijin 发表于 2011-7-9 22:01:43

你可以测试下漂洗槽的PH值

qiuyucsx 发表于 2011-8-10 21:09:54

可能是碱的问题

zhaoff2005 发表于 2011-8-26 08:37:14

可能是酸残留。

xyd0209 发表于 2011-9-14 09:30:33

很可能是去PSG时未清洗干净,硅片上有残留药液,看看最后的水洗槽是不是出问题了……

Mr__Chen 发表于 2011-12-27 11:10:18

多孔硅????????

/:Z拯救 发表于 2012-5-21 00:04:02

磷硅玻璃不是多孔硅

菓唲彵夿 发表于 2012-6-6 16:43:44

主要原因为扩散后,背面周边有一层磷硅玻璃,影响反应速度!

permanentlich 发表于 2012-6-14 11:53:34

片子上肯定有酸残留!
页: [1]
查看完整版本: 多晶电池片在刻蚀去PSG后,背面边缘部分发黄是什么原因?