ourisour
发表于 2008-9-27 01:18:00
单晶硅烧结后填充因子低
各位朋友S125单晶硅烧结后填他、充因子低是什么原因、导致的?
如过片原教烂会出现这种情况吗?
ourisour
发表于 2008-9-27 01:19:04
请教
各位朋友S125单晶硅烧结后填充因子低是什么原因导致的?
如过片原教烂会出现这种情况吗?
Aaron
发表于 2008-12-17 09:53:07
“如过片原教烂”？这句话怎么理解？
jamescrazy
发表于 2010-11-9 12:21:53
是如果片源较烂吧。应该和扩散，烧结有关
barton2004
发表于 2010-12-21 09:30:28
表面微观状况也有一定的影响.
solarpower
发表于 2011-3-22 16:07:32
可能会出现。。
zyn-nku
发表于 2012-5-3 10:09:41
估计烧结没做好，电池的串联电阻较大，造成填充因子地
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